3D Integrated 300°C Tunable RF Oscillator exploiting AlGaN/GaN HEMT for High Temperature Applications

Palacios, Paula (Corresponding author); Zweipfennig, Thorsten; Ottaviani, A.; Saeed, M.; Beckmann, C.; Alomari, M.; Lükens, Gerrit; Kalisch, Holger; Burghartz, J. N.; Vescan, Andrei; Negra, Renato

Piscataway, NJ] : IEEE (2021)
Buchbeitrag, Beitrag zu einem Tagungsband

In: 2021 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium : 7-10 June 2021, Atlanta, Georgia, USA/20-25 June 2021, virtual event / IMS ; IEEE, MTT-S
Seite(n)/Artikel-Nr.: 519-522

Einrichtungen

• Lehr- und Forschungsgebiet Technologie der Verbindungshalbleiter [612020]
• Lehrstuhl für Höchstfrequenzelektronik [618510]