All CVD Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs With CMOS Compatible Metal Edge Contacts

New York, NY / IEEE (2018) [Fachzeitschriftenartikel]

IEEE transactions on electron devices
Band: 65
Ausgabe: 10
Seite(n): 4129-4134

Autorinnen und Autoren

Ausgewählte Autorinnen und Autoren

Pandey, Himadri
Shaygan, Mehrdad
Sawallich, Simon
Kataria, Satender
Wang, Zhenxing

Weitere Autorinnen und Autoren

Noculak, Achim
Otto, Martin
Nagel, Michael
Negra, Renato
Neumaier, Daniel
Lemme, Max Christian

Identifikationsnummern